華人科學(xué)者、アメリカ國家技術(shù)賞を受賞

華人科學(xué)家獲2015年度美國國家技術(shù)獎?wù)?/h2>

2015年12月25日16:22

美國白宮22日公布了2015年度美國最高科技獎項獲得者名單，包括9名國家科學(xué)獎獲得者和8名國家技術(shù)和創(chuàng)新獎獲得者。美籍華人科學(xué)家胡正明是國家技術(shù)和創(chuàng)新獎獲得者之一。

胡正明1947年在北京出生，先后在中國臺灣和美國的高校就讀，本月早些時候當(dāng)選美國國家發(fā)明家科學(xué)院院士，是微電子微型化和可靠性領(lǐng)域的主要開拓者。加州大學(xué)伯克利分校在獲獎消息中稱，胡正明教授的主要貢獻(xiàn)是由他發(fā)明的鰭式場效晶體管（FinFET）。

美國國家技術(shù)和創(chuàng)新獎1980年立法設(shè)立，由美國聯(lián)邦政府商務(wù)部下屬專利商標(biāo)局管理。一個獨立委員會負(fù)責(zé)向美國總統(tǒng)提名獲獎人，表彰那些為提供美國競爭能力、國民生活品質(zhì)和勞動力技術(shù)素質(zhì)作出持久貢獻(xiàn)的人士。

米ホワイトハウスは22日、2015年度のアメリカ國家科學(xué)賞（計9人）、アメリカ國家技術(shù)賞（計8人）の受賞者を発表した。米國籍中國人の胡正明氏が、後者を受賞した。

胡氏は1947年に北京に生まれ、中國臺灣と米國の大學(xué)で學(xué)んだ。今月上旬には米國発明家アカデミーの會員に選ばれた。胡氏はマイクロ電子マイクロ化および信頼性分野の主な開拓者だ。カリフォルニア大學(xué)バークレー校によると、胡氏は自ら発明した次世代型トランジスタ「FinFET」の貢獻(xiàn)が認(rèn)められ受賞となった。

アメリカ國家技術(shù)賞は1980年に創(chuàng)設(shè)され、米商務(wù)省の特許商標(biāo)庁によって管理される。一つの獨立した委員會が米大統(tǒng)領(lǐng)に受賞者を推薦し、米國の競爭力、國民生活の質(zhì)、労働力技術(shù)に持続的な貢獻(xiàn)を成し遂げた人物を表彰する。

「人民網(wǎng)日本語版」2015年12月24日