世界の半導體電荷蓄積技術(shù)において、「書き込み速度」と「不揮発性」という2つの性能は、兼ね備えることがなかなか難しい。復旦大學マイクロ電子學院が発表した情報によると、同校教授の張衛(wèi)氏と周鵬氏が率いるチームはこのほど、畫期的な二次元半導體準不揮発性メモリを作り上げ、第3のメモリ技術(shù)を開発した。「內(nèi)部メモリ級」のデータ読み込み?書き込み速度を?qū)g現(xiàn)し、さらに需要に応じてメモリのデータ保存期間を設定できる?？萍既請螭瑏护à?。

張氏によると、半導體電荷蓄積技術(shù)には現(xiàn)在、主に次の2種類があるとしている。1種目はコンピュータの內(nèi)部メモリなどの揮発性メモリで、データ書き込みには數(shù)ナノ秒しか必要ないが、電源を切ると直ちに失われる。2種目はUSBメモリなどの不揮発性メモリで、データ書き込みには數(shù)ナノ秒から數(shù)十ナノ秒かかるが、外部からのエネルギーを必要とすることなく10年間ほどは保存できる。

今回開発された第3の電荷蓄積技術(shù)の書き込み速度は現(xiàn)在のUSBメモリの1萬倍で、データ上書きに必要な時間は內(nèi)部メモリ技術(shù)の156倍。さらにデータの保存期間を10秒から10年の間で設定できるという畫期的な性能を備えている。この新性能により、高速內(nèi)部メモリのデータ保存に伴うエネルギー消費量を大幅に削減すると同時に、データに有効期限を設定し自然消滅させることができる。特殊な応用シーンにおける機密と伝送の矛盾を解消する。（編集YF）

「人民網(wǎng)日本語版」2018年4月12日