中國はハイエンドマイクロチップの自主研究開発?製造可能

第13次五カ年計畫（2016-20年）國家重點研究開発計畫「光電子とマイクロエレクトロニクスの部品、集積回路」の重點特定項目専門家グループのグループ長を務(wù)める、中國科學(xué)院半導(dǎo)體所の祝寧華?副所長は、「中國は近年、光電子の分野の科學(xué)技術(shù)革新をサポートしており、豊富な革新的成果を上げている」とする。

祝副所長によると、國家ハイテク研究発展計畫（863計畫）の第12次五カ年計畫（2011-15年）だけを見ても、中國政府は、ブロードバンド通信や高性能コンピューターなどの多くの分野で、光電子の部品に焦點を絞り、取り組みを行っている。「それらの研究開発プロジェクトの多くは、將來に目を向けた取り組みで、中興通訊が今回米國から輸入できなくなったマイクロチップも、第12次五カ年計畫、第13次五カ年計畫において関連の計畫が策定されている」。

祝副所長によると、現(xiàn)在、中國は光電子のハイエンドマイクロチップの研究、開発ができる條件を基本的に整えている。自主開発、発展を進めるために、中國は08年に集積回路の製造裝置、技術(shù)に焦點を絞った國家科學(xué)技術(shù)重大特定項目を?qū)g施し、9年間の取り組みを経て、集積回路の製造業(yè)の新體系構(gòu)築に成功した。特定項目が実施される以前、中國の集積回路の最先端製品技術(shù)は130ナノメートル、研究開発されている技術(shù)は90ナノメートルだった。しかし9年で、中國の主流技術(shù)の水準(zhǔn)は5プロセス向上し、55、40、28ナノメートルの研究開発に成功し、量産できるようになった。また、22、14ナノメートルの最先端技術(shù)研究開発でも大きな成果を上げ、14ナノメートルのエッチング裝置、ナノ要素集合薄膜など、30種類以上のハイエンド裝置や、ターゲット材、磨き液などの百種類以上の材料、製品の研究、開発に成功し、その性能は世界最先端となっている。（編集KN）

「人民網(wǎng)日本語版」2018年4月24日