米ホワイトハウスは22日、2015年度のアメリカ國(guó)家科學(xué)賞（計(jì)9人）、アメリカ國(guó)家技術(shù)賞（計(jì)8人）の受賞者を発表した。米國(guó)籍中國(guó)人の胡正明氏が、後者を受賞した。新華社が伝えた。

胡氏は1947年に北京に生まれ、中國(guó)臺(tái)灣と米國(guó)の大學(xué)で學(xué)んだ。今月上旬には米國(guó)発明家アカデミーの會(huì)員に選ばれた。胡氏はマイクロ電子マイクロ化および信頼性分野の主な開拓者だ。カリフォルニア大學(xué)バークレー校によると、胡氏は自ら発明した次世代型トランジスタ「FinFET」の貢獻(xiàn)が認(rèn)められ受賞となった。

アメリカ國(guó)家技術(shù)賞は1980年に創(chuàng)設(shè)され、米商務(wù)省の特許商標(biāo)庁によって管理される。一つの獨(dú)立した委員會(huì)が米大統(tǒng)領(lǐng)に受賞者を推薦し、米國(guó)の競(jìng)爭(zhēng)力、國(guó)民生活の質(zhì)、労働力技術(shù)に持続的な貢獻(xiàn)を成し遂げた人物を表彰する。（編集YF）

「人民網(wǎng)日本語(yǔ)版」2015年12月25日