半導(dǎo)體を小型化し、耐電圧性を高め、電気抵抗を引き下げ、オン?オフをスムーズにするにはどうするべきだろうか？窒化ガリウム（GaN）を中心とする第3世代半導(dǎo)體が、発展の方向性になろうとしている。このほど第3世代半導(dǎo)體技術(shù)の産業(yè)化に専念する、江蘇華功第三代半導(dǎo)體産業(yè)技術(shù)研究院が設(shè)立された。人民日?qǐng)?bào)が伝えた。

シリコン半導(dǎo)體の材料と部品は、材料品質(zhì)、部品設(shè)計(jì)、技術(shù)改善などが十分に行われている。シリコン材料はすでに、物理的な限界に近づいている。中國科學(xué)院院士、同研究院院長の甘子釗教授によると、シリコン電子部品と異なり、第3世代ワイドギャップ半導(dǎo)體窒化ガリウムは耐電圧性が高く、電気抵抗が小さく、オン?オフがスムーズといったメリットがある。電源システムの稼働効率を高め、エネルギー消費(fèi)量を引き下げ、小型化できる。そのため産業(yè)の発展と応用の高い將來性があるという。（編集YF）

「人民網(wǎng)日本語版」2016年10月20日